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考试时间 90 分钟
试 题
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 分数 总分 1.考试形式：闭（开√）卷；2.本试卷共 10 大题，满分100分。
班级 学号 姓名 任课教师
1． 从时间反演闭合路径观点分析弱局域化产生机制。 2． 分析45纳米节点以下CMOS器件薄栅氧量子隧穿漏电流及其工程对策。
3． 结合图1解释弹道电流准经典计算公式的
I2ed3k23vzkzTEzflEfrEeV的物理意义。
图1 弹道导体
4． 结合图2说明共振
隧穿共振状态、正微分电阻区和负微分电阻区产生条件。
图2 双势垒结构
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5．
结合图3推导正统理论的主方
程。
图3 单电子晶体管电路图
6．
说明单电子泵的工作原理以及用其测量电容的原理（给出
公式）。 7．
说明半导体量子点的光学特性并分析影响其发光颜色的因素。
8． 9．
如何利用量子点光学特性提高太阳能电池效率？ 利用能带论解释巨磁阻效应。
10． 设计一种在半导体材料中产生自旋极化电流的方案。
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