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专利名称：一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体发生器专利类型：实用新型专利
发明人：余德平,吴杰,段亚洲,邱吉尔,姚进申请号：CN201721819355.9申请日：20171223公开号：CN208273331U公开日：20181221
摘要：本实用新型公开了一种加工硅基材料的大气感应耦合等离子体(ICP)发生器，主要由分体式炬管、炬管安装座、弹簧夹头、单匝线圈、端盖板、喷嘴和底板组成；所述分体式炬管由相互独立的外管、一体式中管、内管以及固定装置组成，所述单匝线圈由环形碟片、电流引入座和电流引出座三部分组成；所述端盖板通过多个紧固螺钉和底板进行连接；所述喷嘴由喷嘴外体和喷嘴内体两部分组成，通过多个紧固螺钉和端盖板连接。所述固定装置包括外管夹套、内管盖板、炬管安装座、弹簧夹头。本实用新型具有以下突出优点：1.采用与炬管同轴布置的单匝线圈可加工表面质量；2.降低炬管的替换和维修成本；3.提升炬管同轴度；4.实现加工分辨率可调。
申请人：四川大学
地址：610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
国籍：CN
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