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专利名称：具有非对称的源极和漏极接触结构的环绕栅极集成
电路结构
专利类型：发明专利
发明人：B.古哈,M.J.科布林斯基,T.加尼申请号：CN201910762975.0申请日：20190819公开号：CN110911403A公开日：20200324
摘要：描述了具有非对称的源极和漏极接触结构的环绕栅极集成电路结构，以及制造具有非对称的源极和漏极接触结构的环绕栅极集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在鳍上方的纳米线的垂直布置。栅极堆叠在纳米线的所述垂直布置之上。第一外延源极或漏极结构在纳米线的垂直布置的第一端处。第二外延源极或漏极结构在纳米线的垂直布置的第二端处。第一导电接触结构被耦合到第一外延源极或漏极结构。第二导电接触结构被耦合到第二外延源极或漏极结构。第二导电接触结构沿着鳍比第一导电接触结构更深。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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