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专利名称：基片处理方法和基片处理装置专利类型：发明专利发明人：香川兴司
申请号：CN201980037284.2申请日：20190604公开号：CN112236848A公开日：20210115
摘要：本发明的一方式的基片处理方法包括升温步骤和液供给步骤。升温步骤使由浓硫酸构成的处理液(L)升温。液供给步骤将升温了的处理液(L)供给到载置于基片处理部(30)的基片。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京尚诚知识产权代理有限公司
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