一种磁电阻薄膜材料及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种磁电阻薄膜材料及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：李明华,于广华,施辉,方帅申请号：CN201711169287.0申请日：20171113公开号：CN107887103A公开日：20180406

摘要：本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种磁电阻薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构为：基片/Ta和半金属元素的合金化合物/（1.0～200.0nm）多层膜和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在NiFe(NiCo)或者MO/NiFe(NiCo)/MO两边沉积（1.0～20.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的平均自由程，进而达到提高NiFe和NiCo薄膜的平面霍尔效应（PHE）灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。

申请人：北京科技大学

地址：100083 北京市海淀区学院路30号

国籍：CN

代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司

代理人：皋吉甫

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