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专利名称：半导体器件、变容二极管及其形成方法专利类型：发明专利发明人：吴小利,许丹
申请号：CN201110172457.7申请日：20110623公开号：CN102244000A公开日：20111116
摘要：一种半导体器件、变容二极管及其形成方法，所述变容二极管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和P型阱区相邻；位于所述N型阱区、P型阱区上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极周围的侧墙以及位于栅极和所述半导体衬底之间的栅介质层；位于所述N型阱区中的第一电极，位于所述P型阱区中的第二电极，所述第一电极、第二电极位于所述栅极结构的两侧。本发明的变容二极管增加了调节电容的调节方式，其电容随栅极电压变化的规律为新规律，克服现有技术中对电容不能进行微调的缺点。
申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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