一种硅片晶圆划片后检测工艺[发明专利]

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 111081574 A(43)申请公布日 2020.04.28

(21)申请号 201811217281.0(22)申请日 2018.10.18

(71)申请人 江阴苏阳电子股份有限公司

地址 214400 江苏省无锡市江阴市华士镇

向阳村向阳路1号(72)发明人 徐志华　葛建秋　陈玲　(51)Int.Cl.

H01L 21/66(2006.01)H01L 21/78(2006.01)

权利要求书1页 说明书2页

CN 111081574 A(54)发明名称

一种硅片晶圆划片后检测工艺(57)摘要

本发明具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺，包括以下步骤：步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀

有效电路区中是否有缺角,裂痕，有无芯片脱落，

缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片；步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，提高了产品质量，降低企业的生产成本。

CN 111081574 A

权　利　要　求　书

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1.一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角， 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯片，所述如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常；

步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；

步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，在步骤2中，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟。

3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片后检测工艺，其特征在于，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。

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说　明　书

一种硅片晶圆划片后检测工艺

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技术领域

[0001]本发明涉及芯片划片行业，具体涉及一种硅片晶圆划片后检测工艺。

背景技术

[0002]随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，对芯片封装的需求也增长迅猛。[0003]芯片封装是指，将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上，然后利用引线将芯片与框架引脚相连接，最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来，外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封，使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时，不受外界湿度、灰尘的影响，同时提供良好的抗机械振动或冲击保护，提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上，增加了散热面积，提高了芯片的运行可靠性。[0004]硅片在进行划割后时，需要对原片进行系统全面的检查，以确保产品的质量。[0005]现需要一种硅片晶圆划片后检测工艺，以期可以解决上述技术问题。发明内容

[0006]本发明的目的是提供一种硅片晶圆划片后检测工艺，以弥补现有检测过程中的不足。

[0007]为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺，步骤如下：

步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角， 裂缝，钝化层受损，擦伤和沾污等的芯，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常；

步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；

步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。[0008]优选地，在步骤2中，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟。[0009]优选地，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。[0010]本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，大大提高了产品质量，大大降低企业的生产成本。具体实施方式

[0011]为了达到上述目的，本发明提供了一种硅片晶圆划片后检测工艺，步骤如下：

步骤1、当第一片划完后，操作者应立即取出，在显微镜下检查或目视检查，划片槽是否偏斜，是否全划穿，蓝膜上是否有刀痕，有无芯片脱落，有效电路区中是否有缺角， 裂缝，钝

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说　明　书

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化层受损，擦伤和沾污等的芯片，如果第一片有问题，应立即采取措施，然后再检查紧跟切割的一片，直到正常；

步骤2、每片圆片CH1、CH2两个方向切割第五刀时必须停机检查，在划片过程中，每三十刀检查一次，检查内容包括切割槽宽度、切割位置等；

步骤3、切割刀痕的测量：操作员在设备上检查切割刀痕尺寸的数据，并且记录；步骤4、对于已完成检查的圆片，则应将圆片存放在干燥箱或氮气柜中。[0012]其中，在步骤2中，划片后须用清洗机清洗，清洗时间设定为三分钟。[0013]其中，操作员在进行上述操作时必须戴上防静电手套、指套、防静电手腕带。。[0014]本发明的一种硅片晶圆划片后检测工艺，检测内容全面先进，大大提高了产品质量，大大降低企业的生产成本。

[0015]以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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