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专利名称：一种基于熔盐法的氮化硅镁粉体及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：丁军,曹桂莲,王杏,邓承继,余超,祝洪喜申请号：CN201910472618.0申请日：20190531公开号：CN110240132A公开日：20190917
摘要：本发明涉及一种基于熔盐法的氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是：以27～30wt％的镁粉、45～48wt％的氮化硅粉、13～16wt％的氯化钾和10～13wt％的氯化钠为原料配料，外加原料0.02～0.05wt％的添加剂。以乙醇溶液为介质，将镁粉和氮化硅粉球磨，干燥，研磨，加入氯化钾、氯化钠和添加剂，球磨。然后压制成片状，在氮气气氛下以5～10℃/min的速率升温至600～900℃，再以3～5℃/min的速率升温至1100～1400℃，保温，随炉冷却，破碎，酸溶液中浸泡，用蒸馏水洗涤，烘干，制得基于熔盐法的氮化硅镁粉体。本发明具有合成温度低、生产周期短、生产成本低和可工业化生产的特点，所制备的基于熔盐法的氮化硅镁粉体热导率和纯度高。
申请人：武汉科技大学
地址：430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号
国籍：CN
代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张火春
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