专利名称：一种新型晶片处理方法专利类型：发明专利发明人：R·A·达维斯
申请号：CN200680030175.0申请日：20060818公开号：CN101243551A公开日：20080813
摘要：在接近和高于385℃的温度时，金可以扩散进入硅中以及扩散进入一些接触材料中。然而金是一种优良的材料，因为其耐腐蚀、有电传导性以及高可靠性。使用粘附层以及从接触的周围和上面的接触区域移除金，允许微型机电系统器件或半导体经历高于385℃的温度而不冒金扩散的风险。消除金扩散的风险以允许进一步升高的温度处理。将器件衬底键合到载体衬底可以是一升高的温度的工艺。
申请人：霍尼韦尔国际公司
地址：美国新泽西州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：廖凌玲
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