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专利名称：晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用专利类型：发明专利
发明人：白兴军,刘鹏飞,吴海平申请号：CN201510245236.6申请日：20150514公开号：CN106298439A公开日：20170104
摘要：本发明公开了晶圆的处理方法、制备半导体元件的方法及其应用。根据本发明的实施例，晶圆的处理方法包括：(1)对晶圆的背面进行打磨；(2)对经过打磨的晶圆背面进行喷砂。由此，采用晶圆的处理方法在消除晶圆背面研磨损伤的同时，可以在晶圆背面形成微观的凸凹缺陷，从而提高晶圆背面上金属层的粘附，进而提高功率器件的性能。根据本发明的实施例，制备半导体元件的方法包括：提供晶圆；在晶圆的背面形成砂层；在晶圆背面的砂层上沉积形成金属层；采用封装材料对形成金属层的晶圆进行封装，其中，在晶圆的背面形成砂层是采用上述晶圆的处理方法进行的。由此，采用制备半导体元件的方法可以制备得到性能稳定的半导体元件。
申请人：比亚迪股份有限公司
地址：518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号
国籍：CN
代理机构：北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李志东
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