互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010235500.5 （22）申请日 2010.07.23

（71）申请人 上海宏力半导体制造有限公司

地址 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号

（10）申请公布号 CN101916762A

（43）申请公布日 2010.12.15

（72）发明人 高明辉;彭树根;肖军

（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 郑玮

（51）Int.CI

H01L27/12; H01L29/78; H01L29/10; H01L29/423;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

（57）摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧

化物半导体场效应晶体管结构，包括：布置在底部绝缘体上的第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管和第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；其中，第一金属氧化

物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区域，并且围绕所述栅极区域依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域。本发明所提供的互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构减小了器件结构，并改进了器件性能。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2010-12-15 公开

2013-02-13 实质审查的生效

2014-06-11 专利申请权、专利权的转移 2015-05-20

授权

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 授权

权利要求说明书

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说明书

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