nand flash和nor flash区别

NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。他们在读取速度、写入速度、容量、坏快、擦写次数、适用性都有明显的区别

NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。但它们之间也存在着巨大的差异，具体表现在以下几个方面。

1、 读取速度

NOR FLASH的读取速度比NAND FLASH稍快一些。读取数据时，NAND FLASH 首先需要进行多次地址寻址，然后才能访问数据；而 NOR FLASH是直接进行数据读取访问。

2、写入速度

NAND FLASH 由于支持整块擦写操作，所以其擦除和写入速度比NOR FLASH要快很多。

3、容 量

NAND FLASH 采用大量的地址线和数据线复用，而NOR FLASH直

接通过地址线引脚来寻址。因此，NAND FLASH在面积和工艺相同的情况下，可以提供更高的容量，能够相应地降低生产成本。

4、坏 块

NAND FLASH器件由于其大容量的特点，是允许存在坏块的（存在失效地址单元），NAND FLASH 生产厂商如果在生产过程中消除坏块会导致成品率太低、性价比很差，所以在出厂前要在高温、高压条件下检测生产过程中产生的坏块，对产生的坏块写入坏块标记，防止用户使用时向坏块写入数据；而NOR FLASH是不允许出现失效地址单元。

5、擦写次数

FLASH由于写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，而NOR FLASH 擦写次数寿命只有NAND FLASH 的十分之一，故NOR FLASH 并不适合频繁地擦写。

6、适用性

NOR FLASH较容易与其它芯片进行连接，可以直接使用，而NAND FLASH在使用前必须先写入驱动程序，而且为了防止向坏块写入内容，必须建立块地址的虚拟映射。