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（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510136875.9 （22）申请日 2015.03.26
（71）申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
（10）申请公布号 CN104750923A
（43）申请公布日 2015.07.01
（72）发明人 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 （74）专利代理机构 上海光华专利事务所
代理人 余明伟
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种MOSFET的建模方法
（57）摘要
本发明提供一种MOSFET的建模方法，包
括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数的拟合满足精度要求，建立RF模型，生成模型卡。本发明通过将源漏寄生电阻加入DC模型和射频模型中，可以提高射频模型的建模精度，并且本发明将DC模型和射频模型相结合，可以减
少射频模型建模的工作周期。
法律状态
法律状态公告日
2015-07-01 2015-07-01 2015-07-29 2015-07-29 2017-11-21
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
一种MOSFET的建模方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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