专利名称：过温过流保护芯片、其制造方法及表面贴装型过温
过流保护元件
专利类型：发明专利发明人：权秀衍,福田昆之申请号：CN200810033224.7申请日：20080129公开号：CN101221846A公开日：20080716
摘要：本发明公开了一种过温过流保护芯片，包括高分子过温过流保护芯材和两块电极板，所述芯材和电极板封装在一高分子保护膜内。由于在表面增加了一层高分子保护膜，提高了保护芯片的耐候性及其长期使用的稳定性；芯片在保护膜内与外界的空气隔绝，在后序的表面贴装化加工工艺中经受高温时，可以保护芯片不会被氧化，从而保持芯片的良好性能。本发明同时公开了这种过温过流保护芯片的制造方法，以及由这种芯片制成的表面贴装型过温过流保护元件。利用室温真空气相蒸镀的方法，在高分子过温过流保护芯片的外面形成一层致密的保护膜，以提高元件的耐候性能。
申请人：上海神沃电子有限公司
地址：201108 上海市闵行金都路1165弄123号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：雷绍宁
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