一种双栅极鳍式场效晶体管形成方法及结构[发明专利]

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专利名称：一种双栅极鳍式场效晶体管形成方法及结构专利类型：发明专利发明人：鲍宇

申请号：CN201711177128.5申请日：20171122公开号：CN107731927A公开日：20180223

摘要：本发明公开了一种能够在鳍垂直方向上设置多个栅极介质层从而有效降低鳍有效沟道底部的漏电，有效优化鳍式场效晶体管结构的方法以及根据该方法而制成的鳍式场效晶体管及其形成方法。本发明提供的双栅极鳍式场效应晶体管的结构，其通过在鳍外侧面形成一个栅极作为控制栅，在鳍内侧面形成另一个栅极作为驱动栅，该结构不仅可以降低鳍的有效沟道底部的漏电，且通过调节控制栅的厚度可以有效改变驱动栅的阈值电压，还可以提高器件性能。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海申新律师事务所

代理人：严罗一

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