光刻技术概况

在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％

光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的 进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。

所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低,

光刻系统的组成：

光刻机（曝光工具） (光刻工程的核心部分,其造价昂贵.号称世界上最精密的仪 器,目前世界是已有7000万美金的光刻机.)

掩膜版

光刻胶(常伴随着光刻机的发展而前进.在一定程度上其也制约着光刻工艺的发展)

主要指标：

分辨率W（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸 焦深(DOF-Depth Of Focus) -> 投影光学系统可清晰成象的尺度范围 关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制 对准和套刻精度(Alignment and Overlay) 产率(Throughout) 价格

其中，W是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。 其由瑞利定律决定： R = k1r/NA ， 其中 r 是光刻波的波长。

提高光刻分辨率的途径:

减小波长r, 其中， 光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率 增加数值孔径

优化系统设计（分辨率增强技术） 减小k1

主流光刻技术:

248nm DUV技术（KrF准分子激光） -> 0.10um 特征尺寸 193nm DUV技术（ArF准分子激光） -> 90nm 特征尺寸

新一代的替代光刻技术: Immersion 193nm技术 157nm F2

EUV光刻 紫外线光刻

电子束投影光刻 X射线光刻 离子束光刻 纳米印制光刻

光学透镜

透射式透镜（248nm、193nm) 反射式透镜（157nm）

掩膜版

由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。 通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

分辨率增强技术(RET): Step-Scan 技术 偏轴照明(OAI)

邻近效应校正(OPC) 移相掩膜(PSM)

具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶 光刻胶修剪(Resist Trimming)

抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶