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专利名称：一种半导体存储器专利类型：发明专利
发明人：刘伟,袁愿林,刘磊,龚轶申请号：CN201811130401.3申请日：20180927公开号：CN110957324A公开日：20200403
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器，包括：半导体衬底，以及位于所述半导体衬底中的：至少一个栅沟槽；分别位于所述栅沟槽两侧的自上而下的n型漏区、p型基区和n型源区；位于所述栅沟槽的下部的控制栅；位于所述栅沟槽的上部且位于所述控制栅之上的编程栅；位于所述栅沟槽的上部且分别位于所述编程栅两侧的两个浮栅；所述浮栅、所述控制栅、所述编程栅和所述半导体衬底之间由绝缘介质层隔离。本发明的半导体存储器在实现长电流沟道的同时可以维持很小的芯片面积，而且，本发明的半导体存储器可以采用自对准工艺制造，制程简单。
申请人：苏州东微半导体有限公司
地址：215028 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：孟金喆
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