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专利名称：发光二极管的制作方法专利类型：发明专利发明人：陈静,孙佳胤,王曦申请号：CN200810040172.6申请日：20080703公开号：CN101304063A公开日：20081112
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括下步骤：采用具有六方晶格的外延衬底；在外延衬底表面生长发光层；采用导电支撑衬底；将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合；除去外延衬底。本发明的优点在于，采用具有六方晶像的外延衬底生长发光层，可以保证发光层的晶体质量；采用同导电支撑衬底键合并剥离外延衬底的方法，解决了外延衬底不导电、无法制作垂直结构的技术问题。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海泰能知识产权代理事务所
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