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专利名称：一种多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料及其制备
方法
专利类型：发明专利
发明人：杜飞鹏,沈天涵,谢岁岁,张芳,鄢国平,李亮,郭庆中,张
桥
申请号：CN201410822004.8申请日：20141225公开号：CN104530614A公开日：20150422
摘要：本发明公开了一种多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料及其制备方法，将碳纳米管在超声分散作用下均匀分散于聚偏氟乙烯基体中，形成导电网络结构，并利用不良溶剂的挥发作用，以及碳纳米管与聚偏氟乙烯的相分离作用，在聚偏氟乙烯基体成膜过程中造孔，制得多孔的聚偏氟乙烯基体。聚偏氟乙烯基体的多孔结构使制得的多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料成为热的不良导体；碳纳米管在聚偏氟乙烯基体中形成的导电网络结构可有效提高多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料的电导率和塞贝克系数。制得的多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料表现出优异的热电性能。
申请人：武汉工程大学
地址：430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：崔友明
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