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专利名称：一种半导体元件专利类型：发明专利发明人：罗艳
申请号：CN201711307462.8申请日：20171211公开号：CN107833912A公开日：20180323
摘要：本发明公开了一种半导体元件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有氧化层；源极和漏极之间的氧化层、P型阱和N型阱覆盖第一介质层，第一介质层上设有栅极；第一介质层和栅极上有第二介质层，第二介质层部分覆盖栅极；栅极上跨设金属拱形场板；第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体极板，任意一个半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体极板垂直连接，与上层相邻的另一个导体极板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体极板分别与P型阱和N型阱垂直连接。本发明能够提高器件的击穿电压。
申请人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司
地址：610041 四川省成都市高新区天府三街69号1栋1单元16层1610号
国籍：CN
代理机构：成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人：詹永斌
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