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专利名称：绝缘栅双极型晶体管专利类型：发明专利
发明人：朴在勋,张昌洙,宋寅赫,严基宙,徐东秀申请号：CN201310042628.3申请日：20130201公开号：CN103839986A公开日：20140604
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极；以及形成在所述第二半导体区域内与所述第三半导体区域对应的位置的至少一个位置的阻挡层。
申请人：三星电机株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京润平知识产权代理有限公司
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