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专利名称：发光装置和其制造方法专利类型：发明专利发明人：濑尾哲史,下垣智子申请号：CN02126173.3申请日：20020712公开号：CN1398147A公开日：20030219
摘要：具有优越发光性能的发光元件通过在具有使用高分子量材料的有机化合物层的发光元件的制造中形成部分地包括发光物质(发光区)的区域提供。其中具有50或更高聚合度的高聚合物溶于溶剂中的溶液通过旋涂法施加，然后，由与高聚合物同样的重复单元组成并具有2－5的聚合度的低聚合物和发光物质共蒸发以形成发光区(105)，只有低聚合物蒸发淀积在发光区上以形成有机化合物层(103)。这样，可部分地形成发光区(105)。
申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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