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专利名称：减少晶片边缘颗粒缺陷的方法专利类型：发明专利发明人：武咏琴
申请号：CN201010507014.4申请日：20101014公开号：CN102446805A公开日：20120509
摘要：本发明提供了一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法：在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层；其中，HMDS、底部抗反射层、第一光阻胶层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上；对顶部涂层和第一光阻胶层进行浸没式光刻以及以所述浸没式光刻后的图案为掩膜进行半导体衬底的刻蚀之后，形成浅沟槽隔离区；在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后，在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料；在栅氧化层材料表面涂布第二光阻胶层；对所述第二光阻胶层进行光刻以及以所述光刻后的图案为掩膜进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后，形成栅氧化层。采用本发明能够有效减少晶片边缘出现氧化物颗粒缺陷。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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