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专利名称：晶片预对准器及预对准晶片的方法专利类型：发明专利
发明人：约翰·查尔斯·罗杰斯,玛格丽特·凯瑟琳·斯威奇基申请号：CN202010920362.8申请日：20200904公开号：CN112466802A公开日：20210309
摘要：本公开涉及晶片预对准器及预对准晶片的方法。预对准器用于预对准具有刻痕的晶片。该预对准器包括具有晶片接收表面的晶片平台，和驱动设备。提供检测器以检测刻痕，并且提供存储器以存储刻痕窗口，该刻痕窗口限定相对于起始位置的角度范围，预测刻痕位于该角度范围内。控制器执行预对准操作，其中晶片从起始位置旋转到对准位置。控制器执行操作，以使得以最大加速度/减速度值将晶片从起始位置旋转到由检测器检测到的刻痕位置：其中，操作被限制到用于将晶片从起始位置旋转到刻痕窗口的最大速度，并且其中，操作在刻痕窗口内被限制到扫描速度，直到检测到刻痕位置为止。
申请人：株式会社安川电机,安川美国有限公司
地址：日本福冈县
国籍：JP
代理机构：北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人：李丽
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