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专利名称：一种PGaN基LED外延片专利类型：实用新型专利发明人：邓顺达,林溪汉,林政德申请号：CN201420828798.4申请日：20141224公开号：CN204257686U公开日：20150408
摘要： 一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层，nGaN层，缓冲层，InGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN 和PGaN，其特征在于：在所述PGaN层上还生长有一层P-GaN，所述PGaN层为在800～1200℃生长的PGaN层，所述P-GaN层为在850～1250℃生长的P-GaN层，其厚度在0～300 ? 之间；本实用新型的一种PGaN基LED外延片，其通过PGaN层叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流方向，提高了发光效率，并可以获取高质量的InGaN/GaN 多量子阱的LED 外延片，对现有生长工艺无冲突，且结构紧凑。
申请人：冠铨(山东)光电科技有限公司
地址：272000 山东省济宁市高新区崇文大道6688号(冠铨光电)
国籍：CN
代理机构：济宁众城专利事务所
代理人：李效宁
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