画鸵萌宠网
专利名称：半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体
器件的方法
专利类型：发明专利
发明人：M.科托罗贾,E.格里布尔,J.G.拉文,A.菲利波申请号：CN201710623101.8申请日：20170727公开号：CN107665882A公开日：20180206
摘要：一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
申请人：英飞凌科技股份有限公司
地址：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容