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(12)发明专利说明书
(21)申请号 CN201210139654.3 (22)申请日 2012.05.08
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
(10)申请公布号 CN103390605B
(43)申请公布日 2016.02.10
(72)发明人 黄景丰
(74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 丁纪铁
(51)Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
电感
(57)摘要
本发明公开了一种电感,包括电感线
圈和衬底结构。衬底结构包括:P型半导体衬底、N型外延层和多个条形结构的采用光刻和离子注入工艺形成的P型掺杂区。P型掺杂区的深度大于等于N型外延层的厚度。P型掺杂区将N型外延层分隔成多个N型掺杂区,并形成N型掺杂区和P型掺杂区交替排列的结构。交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区能够在衬底中形成耗尽区,使衬底呈高阻状态,从而能阻断衬底涡流;耗尽区还会减少衬底的寄生电容,能够提高器件的品质
因素。本发明并不需要深沟槽隔离工艺,工艺成本低。 法律状态
法律状态公告日
2013-11-13 2013-12-04 2014-02-12 2016-02-10
法律状态信息
公开
实质审查的生效
专利申请权、专利权的转移 授权
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公开
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专利申请权、专利权的转移 授权
权利要求说明书
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