画鸵萌宠网
专利名称：硅晶片及其制造方法专利类型：发明专利发明人：中居克彦,福田真行申请号：CN200880014413.8申请日：20080501公开号：CN101675507A公开日：20100317
摘要：本发明提供硅晶片及其制造方法，其中在器件制造过程中滑移位错和翘曲的产生均被抑制。本发明的硅晶片包含八面体BMD，在存在于距硅晶片表面不小于50μm的深度的BMD中，对角线尺寸为10nm至50nm的BMD的密度不小于1×10/cm，BSF的密度不大于1×10/cm。本发明硅晶片的间隙氧浓度为不小于4×10个原子/cm至不大于6×10个原子/cm，而对角线尺寸不小于200nm的BMD的密度为不大于1×10个原子/cm。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：过晓东
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容