半导体存储器器件[发明专利]

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专利名称：半导体存储器器件专利类型：发明专利发明人：薮内诚

申请号：CN202011246638.5申请日：20201110公开号：CN112786085A公开日：20210511

摘要：本公开涉及一种半导体存储器器件。随着半导体存储器器件的小型化，布线的电阻和寄生电容变大，这阻止了半导体存储器器件加速。在半导体存储器器件中，该半导体器件具有：半导体衬底，该半导体衬底具有主表面；第一存储器单元行，该第一存储器单元行具有多个第一存储器单元，该多个第一存储器单元与平面图中的第一方向平行地被布置在主表面上；第一字线，该第一字线被连接至多个第一存储器单元；第一字线驱动器，该第一字线驱动器用于改变第一字线的电位；以及控制电路，该控制电路用于响应于时钟信号和地址信号经由第一预解码线，向第一字线驱动器输出第一预解码信号；中继器，该中继器被插入在控制电路与第一字线驱动器之间。

申请人：瑞萨电子株式会社

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京市金杜律师事务所

代理人：李辉

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