一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置[发明专利]

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专利名称：一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置专利类型：发明专利

发明人：曹玲玲,蔡延国,李彦,宗冰,肖建忠,王体虎申请号：CN201811455065.X申请日：20181130公开号：CN109279611A公开日：20190129

摘要：本发明提供一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置，其将氯硅烷通入精馏塔内，通过含物理吸附剂的吸附脱附段对氯硅烷中的杂质进行处理，并结合精馏和提馏完成整个生产过程；其中物理吸附剂包括第一组分，第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。本发明采用物理吸附剂的选择吸附功能，能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质，特别是碳有机杂质，除杂效率高，环保性好，进一步提升和稳定了氯硅烷的品质。

申请人：亚洲硅业(青海)有限公司

地址：810007 青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号

国籍：CN

代理机构：成都华风专利事务所(普通合伙)

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