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包括具有垂直集成相控阵天线和低频功率传递衬底的穿硅过孔管芯的芯片封装[发明专利]

来源：画鸵萌宠网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：包括具有垂直集成相控阵天线和低频功率传递衬底

的穿硅过孔管芯的芯片封装

专利类型：发明专利

发明人：T·卡姆嘎因,V·R·拉奥,Y·帕拉斯卡斯申请号：CN2012800216.X申请日：20120316公开号：CN103597593A公开日：20140219

摘要：一种装置，包括具有穿硅过孔和射频集成电路性能的管芯，并且其与相控阵天线衬底垂直集成。穿硅过孔和射频集成电路耦合到布置在相控阵天线衬底上的多个天线元件，其中多个天线元件中的每一个都通过多个穿硅过孔耦合到所述穿硅过孔和射频集成电路。一种将穿硅过孔和射频集成电路组装到相控阵天线衬底的工艺，包括测试所述装置。

申请人：英特尔公司

地址：美国加利福尼亚

国籍：US

代理机构：永新专利商标代理有限公司

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