利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法[发明专利]

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专利名称：利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法专利类型：发明专利

发明人：李国强,黄改革,尉乔南申请号：CN202011453729.6申请日：20201212公开号：CN112725750A公开日：20210430

摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种利用磁控溅射技术制备BVO外延单晶薄膜的方法，包括以下步骤：a、安装靶材，b、预处理衬底材料，c、制备ITO中间层薄膜，d、制备外延单晶BVO薄膜。本发明通过改变制备薄膜时对靶材施加功率以及氧压的大小首次获得了BVO的外延单晶薄膜，制备方法简单，制备出的薄膜表面平整致密，可进一步用于制备覆盖面积大的外延单晶薄膜；该方法也为用化学计量比靶材通过磁控技术制备出与靶材元素比例相同的金属氧化物提供了可能。

申请人：河南大学

地址：475004 河南省开封市龙亭区金明大道1号

国籍：CN

代理机构：郑州大通专利商标代理有限公司

代理人：蔡少华

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